РАЗРАБОТКА ПРОЦЕССОВ ХИМИЧЕСКОМ ОБРАБОТКИ СРАЩИВАЕМЫХ ПОДЛОЖЕК

А. Л. Суворов, В. И. Графутин, Е. П. Прокопьев, С. П. Тимошенков, В. В. Калугин

Аннотация


Разработаны модифицированные методы химической обработки поверхности при получении структур кремний на изоляторе сращиванием подложек. Получены и исследованы поверхности пластин кремния и приборного слоя структур кремний на изоляторе, синтезированных методами сращивания. Результаты исследования параметров полученных образцов позволяют говорить о перспективности выбранного технологического процесса очистки пластин кремния и целесообразности подобного производства на предприятиях микроэлектроники. Рис. 3, список лит. 16 назв.

Полный текст:

PDF

Литература


Суворов А.Л., Графутин В.И., Залужный А.Г. и др. Сращивание пластин кремния посредством химической сборки поверхности молекулярным наслаиванием и газовым скалыванием. — Атомная энергия, 2001, т. 91, вып. 4, с. 255—263.

Тимошенков С.П., Калугин В.В. Очистка пластин кремния в процессах полупроводникового производства. — Микроэлектроника, 2000, № 2, с. 39—44.

Мажулин А.В. Исследование возможности производственного контроля качества отмывки поверхности кремния методом Кельвина. — Электронная техника. Сер. Материалы ЭТ, 1981, вып. 1, с. 30—31.

Белановский А.С. Абсорбция и адсорбция на поверхности полупроводников. — Обзоры по ЭТ. Сер. Микроэлектроника, 1969, вып. 58 (127), с. 201—203.

Богданович Б.Ю., Графутин В.И., Калугин В.В. и др. Технологии и методы исследования структур КНИ. М., МИЭТ, 2003, 288 с.

Тимошенков С.П., Калугин В.В., Прокопьев Е.П. Разработка методов химической обработки пластин кремния, предназначенных для получения структур кремний на изоляторе. I. Химические взаимодействия на поверхности при жидкостных обработках пластин кремния. — Материаловедение, 2003, №8, с. 8—10.

Furuhawa М. Silicon-to-silicon direct bonding method. — J. Appl. Phys., 1986, v. 60, № 8, p. 2987—2989.

Maszara W., Coetz G., Cavigilia A., Kitterick J. Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator. — J. Appl. Phys., 1986, v. 64, № 10, p. 1943— 1950.

Тимошенков С.П., Калугин В.В., Прокопьев Е.П. Исследование технологии очистки поверхности пластин кремния в процессе изготовления структур КНИ и микроэлектронных изделий. — Микросистемная техника, 2003, № 1, с. 13—22.

Kanda Y., Matsuda К., Murayama C., Sugaya J. The mechanism of field-assisted silicon-glass bonding. — Sensors and Actuators, 1990, v. A21—A23, p. 939—940.

Go Jeung Sang, Cho Young-Ho. Experimental evaluation of anodic bonding process based on the Taguchi analysis of interfacial fracture toughness. — Ibid., 1999, v. 73, p. 52—57.

Carison D. Ion depletion of glasses at a blocking anode: I. Theory and experimental results for alkali silicate glass. — J. Am. Ceram. Soc., 1974, v. 57, p. 291—295.

Anthony T. Anodic bonding of imperfect surfaces. — J. Appl. Phys., 1983, v. 54, № 5, p. 2419—2428.

Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Калугин B.B., Дьячков С.А. Очистка и активация поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. — Оборонный комплекс — научно-техническому прогрессу России, 2000, № 3, с. 75—85.

Tong Q.-Y., Gösele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. New York: Wiley, 1998.

Попов В.П. Создание КНИ-структур для ультрабольших интегральных схем. — Известия вузов, Электроника, 1998, № 5, с. 22—29.


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.