СРАЩИВАНИЕ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ ПОСРЕДСТВОМ ХИМИЧЕСКОЙ СБОРКИ ПОВЕРХНОСТИ МОЛЕКУЛЯРНЫМ НАСЛАИВАНИЕМ И ГАЗОВЫМ СКАЛЫВАНИЕМ

А. Л. Суворов, В. И. Графутин, А. Г. Залужный, М. А. Козодаев, Е. Л. Прокопьев, Б. Ю. Шарков, С. П. Тимошенков, Ю. А. Чаплыгин, В. Ф. Реутов

Аннотация


В целях изготовления с труктур кремний на изоляторе для получения поверхности пластин кремния с заданным химическим составом, ее активирования и модифицирования предлагается использовать химическую и термическую обработку поверхности во влажных условиях (включая и химическую сборку поверхности методом молекулярного наслаивания), а также метод газового скалывания. Рис. 4, список лит. 13 назв.

Полный текст:

PDF

Литература


Реутов В.Ф., Ибрагимов Ш.Ш. Способ изготовления тонких пластин кремния. Авт. свид. СССР № 1282757, 30.12.1983.

Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь, 1991. 231 с.

Bruel М. Smart-cut technology: basic mechanisms and applications NATO. — In: Proc. Conf. on Advanced Research Workshop: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices. Kiev, October 12—15, 1998, t. 1, p. 9.

Прокопьев Е.П., Тимошспков С.П., Суворов А.Л. и др. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества: Препринт ИТЭФ 24-00, 2000. 20 с.

Суворов А.Л., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П. и др. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КИИ: Препринт ИТЭФ 27-00, 2000. 51 с.

. Maszara W., Goetz G., Cavigilia A., Kitte rick J. Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator. — J. Appl. Phys., 1986, v. 64, № 10, p. 1943—1950.

Stengl R., Tan T., Gösele U. A model for the silicon wafer bonding process. — Ibid., 1989, v. 28, № 10, p. 735—1741.

. Sensor Technology Devices. Boston—London: Artech House, 1994, p. 157—201.

Алесковский В.Б. Химия надмолекулярных соединений. Учеб. пос. СПб: изд-е С.-Петербург, ун-та, 1996. 256 с.

Tong Q., Gösele U. A model of low-temperature wafer bonding and its applications. — J. Electrochem. Soc., 1996, v. 143, № 5, p. 1773—1779.

Tong Q., Gösele U. Wafer bonding and layer splitting for microsystem. — Adv. Mater., 1999, v. 11, № 17, p. 1409—1425.

Tong Q., Gösele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. New York: Wiley, 1988. 262 p.

Попов В.П. Создание КИИ структур для ультрабольших интегральных схем. — Известия вузов. Электроника, 1998, № 5, с. 22—26.


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.